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<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF MOSPET VERTICAL QUI COMPREND UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, COMPRENANT, EN SERIE, DES REGIONS ADJACENTES DE SOURCE, DE CORPS ET DE DRAIN TYPES ALTERNES DE CONDUCTIVITE; LA REGION DE CORPS EST ADJACENTE A UNE SURFACE DU SUBSTRAT; LES REGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN SONT ESPACEES AFIN DE DEFINIR UNE PARTIE DE CANAL DANS LA REGION DE CORPS SUR LA SURFACE.</P><P>SELON L'INVENTION, UNE REGION D'ANODE 48 EST ADJACENTE A LA REGION DE DRAIN 50 ET EST D'UN TYPE DE CONDUCTIVITE OPPOSEE A CELUI DE LA REGION 50; LES REGIONS DE SOURCE, DE CORPS ET DE DRAIN 54, 52 ET 50 ONT UN PREMIER GAIN EN COURANT DIRECT ET LES REGIONS D'ANODE, DE DRAIN ET DE CORPS 48, 50, 52 ONT UN SECOND GAIN EN COURANT DIRECT, LA SOMME DES PREMIER ET SECOND GAINS ETANT INFERIEURE A L'UNITE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A PORTE ISOLEE.</P>
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