| 摘要 |
<p>Un dispositif de stockage de transistors a effet de champ utilise dans des memoires mortes programmables du type utilisant une porte flottante (16) et une porte de commande (20) surjacente et en alignement avec la porte flottante. Une porte d"effacement (24) est prevue adjacente a au moins un bord (26) de la porte flottante (16) pour enlever des charges stockees sur la porte flottante. Un procede d"effacement electrique du dispositif de stockage consiste a maintenir la porte de commande (20) a un potentiel fixe de maniere a tenir la porte flottante (16) a un potentiel sensiblement fixe tandis qu"une tension relativement faible est appliquee a la porte d"effacement (24) pour enlever les charges stockees sur la porte flottante. </p> |
