PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS MICROMINIATURES PAR ATTAQUE REACTIVE DU SILICIUM AVEC BOMBARDEMENT

摘要

L'INVENTION CONCERNE LES TECHNIQUES DE TRAITEMENT DU SILICIUM.

ON REALISE UNE ATTAQUE REACTIVE AVEC BOMBARDEMENT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN OU DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE OU NON 20 DANS UN PLASMA DE CHLORE. LA PIECE EN SILICIUM EST MAINTENUE EN CONTACT AVEC LA CATHODE 18 DE L'APPAREIL DE TRAITEMENT. LES TRAITEMENTS D'ATTAQUE SONT PRATIQUEMENT EXEMPTS D'EFFETS DE CHARGE ET ILS SONT CARACTERISES PAR UNE RESOLUTION ELEVEE, UNE EXCELLENTE UNIFORMITE ET UNE SELECTIVITE ELEVEE PAR RAPPORT AU DIOXYDE DE SILICIUM, PAR EXEMPLE.

APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES COMPLEXES.