| 发明名称 |
DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE CELLULE DE MEMORISATION A TRANSISTOR A ENRICHISSEMENT ET RESISTANCE, ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A HAUT DEGRE D'INTEGRATION ET SON PROCEDE DE FABRICATION, EN PARTICULIER UN ELEMENT A FORTE IMPEDANCE.</P><P>LE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR POSSEDE UNE STRUCTURE SILICIUM-SUR-SAPHIR DANS LAQUELLE UN ELEMENT A JONCTION PN 35, 44 EST FORME DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM 20 DISPOSE SUR UNE PLAQUE DE SAPHIR 22. UNE COUCHE D'OXYDE 34 EST FORMEE DANS L'AIRE SUPERFICIELLE DE LA REGION DE TYPE P 35 QUI SERT A FORMER L'ELEMENT A JONCTION PN 35, 44.</P><P>LE DISPOSITIF AINSI FORME PERMET DE REALISER UNE CELLULE DE MEMORISATION A HAUT DEGRE D'INTEGRATION.</P>
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| 申请公布号 |
FR2478376(A1) |
申请公布日期 |
1981.09.18 |
| 申请号 |
FR19810004986 |
申请日期 |
1981.03.12 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA DENKI KK |
发明人 |
KENJI MAEGUCHI ET HIROYUKI TANGO;TANGO HIROYUKI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/762;H01L21/86;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/91;G11C11/40;H01L21/18 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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