| 发明名称 |
INRICHTING VOOR HET LATEN GROEIEN VAN EPITAXIALE LAGEN VAN HALFGELEIDERMATERIAAL. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
NL166732(C) |
申请公布日期 |
1981.09.15 |
| 申请号 |
NL19730012140 |
申请日期 |
1973.09.03 |
| 申请人 |
MOSKOVSKY INSTITUT ELEKTRONNOI TEKHNIKI TE MOSKOU. |
发明人 |
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| 分类号 |
C30B25/12;(IPC1-7):C30B23/06 |
主分类号 |
C30B25/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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