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Un contact noye (44) d'acces a la region active d'un dispositif MOS est forme en definissant initialement la region de canal et la region de contact par une couche de nitrure (16) sur un substrat semi-conducteur (10) d'un premier type de conductivite. Le substrat (10) est dope dans une troisieme region (22) situee entre les region de contact et de canal avec un dopant d'un second type de conductivite. Une couche epaisse d'oxyde (28) est ensuite formee au-dessus de la troisieme region. Le nitrure est ensuite enleve des regions de canal et de contact et une couche fine d'oxyde (30) est ensuite formee au-dessus de la region de canal. On forme ensuite au-dessus des regions de canal et de contact un conducteur (32, 34), de preference en silicium polycristallin. La region de contact du substrat est ensuite dopee avec un materiau du second type de conductivite, de preference a travers la couche de silicium polycristallin. |
