| 发明名称 |
Process for the manufacture of a GaAs semiconductor arrangement. |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Galliumarsenid-Halbleiteranordnung, bei dem in einen Halbleiterkörper (1) zwei verschiedene Dotierstoffe eingebracht werden, um so verschiedene Zonen (4, 6) zu erzeugen. Mit nur einem Verfahrensschritt wird auf diese verschiedenen Zonen (4, 6) eine Metallisierung (8) aufgebracht, die mit den verschiedenen Zonen (4, 6) sperrende und nichtsperrende Kontakte bildet.
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| 申请公布号 |
EP0034729(A2) |
申请公布日期 |
1981.09.02 |
| 申请号 |
EP19810100732 |
申请日期 |
1981.02.02 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
PETTENPAUL, EWALD DR.-ING. DIPL.-PHYS.;HUBER, JAKOB, DIPL.-PHYS.;WEIDLICH, HERBERT DR. RER. NAT. DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/265;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/36;H01L29/812;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/36;H01L21/26;H01L21/28;H01L29/91 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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