发明名称 Process for the preparation of photoresist layers for micro-electroforming by X-rays.
摘要 Die Erfindung betrifft die Herstellung von mit Strukturen versehenen Lackschichten für die Mikrogalvanoplastik mittels Röntgenstrahlen. Dabei wird die Lackschicht (3) unter Zwischenschaltung einer dünnen Metallschicht (2) auf eine Unterlage (1) aus einem Material mit dem gleichen oder ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten wie die Lackschicht (3) gebracht. Die Erfindung dient der Herstellung von 100 µm dicken Polymethylmetacrylat-(PMMA)-Schichten mit 10 µm breiten Strukturen wie sie insbesondere für die Fertigung von Trenndüsen für Isotopenanreicherungsanlagen verwendet werden.
申请公布号 EP0034795(A2) 申请公布日期 1981.09.02
申请号 EP19810101126 申请日期 1981.02.17
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 TISCHER, PETER, DR.RER.NAT.PHYS.;GLASHAUSER, WALTER
分类号 C25D1/10;A61K38/00;B01D59/18;C25D1/00;G03F7/11;(IPC1-7):03F7/26;03F7/02;01D59/18;25D1/10 主分类号 C25D1/10
代理机构 代理人
主权项
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