发明名称 使用可控制交流电阻之增益控制放大器
摘要
申请公布号 TW039038 申请公布日期 1981.09.01
申请号 TW06912606 申请日期 1980.09.18
申请人 美国无线电公司 发明人 杰克.鲁道夫.哈福特
分类号 H03F3/182;H03G3/18 主分类号 H03F3/182
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一与一信号放大器使用之被控电阻系统,包含: 一可变控制电流源;及一垂直PNP电晶体,包 括表现为一电阻之基极一射极接合,电阻之大小 乃由该控制电流控制之,包括:一P型导电性半 导体物料之半导体基质,具有一实质上平面之表 面;一高电阻系数N型半导体物料之第一局部化 区,位于紧靠其表面之该基质内,且表现一既定 截子活期特性者; 2﹒一种增益控制放大器,包含:一控制电流源;一 放大电晶体,具有基极、射极及集极等电极,用 以放大占有既定频率范围之交流信号;及一垂直 PNP电晶体,包括一表现为一电阻之基极一射 极接头,电阻之大小系藉该控制电流控制之,包 含一P型导电性半导体物料之半导体基质,具有 一实质上平面之表面者一P+型导电性之第二局 部化区,位于邻接该表面之该高电阻系数区内, 并耦合于来自该电流源之接收控制电流,在其中 ,于该P+型区内之控制电流流动注射一股载子 流于该高电阻系数区内者;一N+型导电性之第 三局部化区,位于该高电阻系数区,并藉该高电 阻系数N型半导体物料之介在膨胀与该第二局部 化区隔离,以便在N+型与P+型两区间建立一 间距,而与该第二局部化区隔离,所建立之该间 距至少与在该既定载子活期被注入载子之贯穿深 度大小相等者;在其中,该基极一射极接头包括 该N+型区,该N型物料之介在膨胀,及该P+ 型区;且该基极一射极接头之电阻为在该高电阻 系数区内该注入载子密度之函数;及用于使该信 号放大器之增益响应,藉该基极一射极接头所表 现之电阻变化之装置者。一N型半导体物料之第 一局部化区域,具有一低浓度之导电性修正物质 ,位于邻靠其表面之该基质内,并表现一载子活 期大于该既定频率范围内任何一种频率之周期者 ;一P型导电性之第二局部化区,位于邻接该表 面之该第一局部化区内,耦合于来自该电流源之 接收控制电流,并包含具有一大于该低浓度之P 型导电性修正物质者;及一N型导电性之第三局 部化区,位于该第一局部化区内,耦合于该放大 电晶体之该等电极之一,并藉该第一局部化区之 扩展与该第二局部化区隔离,该第三厘包含一具 有大于该低浓度之浓度之N型导电性修正物质者 在其中,该第三局部化区包含一基极接触区,该 基极一射极接头包括该第一与第二局部化区,及 该基极一射极接头为一加于该第二局部化区控制 电流之函数者。 3﹒根据上述请求专利部份第2项之增益控制放大 器 ,进一步包含一N型导电性之第四局部化区,位 于该第一局部化区内且藉该第一局部化区之扩展 与该第二局部化区隔离,该第四区包括具有一大 于该低浓度之浓度之N型导电性修正物质者。在 其中,该第二局部化区系位于该第三与第四区之 中间者。 4﹒根据上述请求专利部份第3项之增益控制放大 器 ,进一步包含一耦合在该第三与第四局部化区之 低阻抗导体,该导体包含一该垂直PNP电晶体 之基极电极者。 5﹒一增益控制之放大器,包含:一可变直流控制电 流;一压一种型式导电性之半导体基质与一属相 反型式导电性之晶膜层,而在其间有一界面,该 晶膜层具有一实质上平面之表面者;一属该相反 型式导电性之第一局部化区,位于邻接该介面之 该基质内,并含有相反型式导电性修正物质者一 属该一种型式导电性之第二局部化区,位于在该 平面表面与该第一局部化区间之该晶膜层内者; 一属该相反型式导电性之第三局部化区,位于邻 接该平面表面之该第二局部化区内,并包含相反 型式导电性之修正物质者;一层该相反型式导电 性之第四局部化区,位于在该平面表面与该第一 局部化区间之该晶膜层内。并包含相反型式导电 性之修正物质者,在其中该第三局部化区,该第 二局部化区,及该晶膜层包含一放大电晶体之基 极、射极与集极等区,及该第四区包含一该电晶 体之集极接触区者;用以将一资讯信号加于该基 极及射极区之一之装置,以产生一放大之资讯信 号于该集极接触区;及一层该一种型式导电性之 第五局部化区,位于在该平面表面与被耦合,以 接收来自该电流源可变直流控制电流之该基质间 之该晶膜层内,并包含一种型式导电性修正物质 ,该第五区系藉该晶膜层之扩展与该第四区隔离 ,该被接收之直流控制电流导致自该第五区之载 子注入该晶膜层扩展内,用以变化地控制该晶膜 层扩展之阻抗及该资讯信号之放大程度者。 6﹒根据上述请求专利部份第5项之增益控制放大 器 ,进一步包含一属该相反型式导电性之第六局部 化区,位于在该平面表面与该基质间之该晶膜层 内,并藉一低阻抗导体连接于该第四局部化区者 ,在其中该第五局部化区系位于该第四与第六局 部化区之中间者。 7﹒根据上述请求专利部份第5或6项之增益控制放 大器,在其中该第一局部化区系位于该基质与该 第二、第三及第四局部化区之间而第五局部化区 除外者。 8﹒根据上述请求专利部份第5项之增益控制放大 器 ,在其中该晶膜层显示一用于该注射载子之既定 载子活期,且该晶膜层扩展至少与在该既定活期 之间出该被注入载子所行进距离之大小。
地址 美国新泽西州普林斯顿巿