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发明名称 METHOD FOR FABRICATION OF SILICON EPITAXIAL LAYERS
摘要
申请公布号 PL117626(B1) 申请公布日期 1981.08.31
申请号 PL19780205283 申请日期 1978.03.13
申请人 发明人
分类号 H01L;H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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