| 主权项 |
1﹒一种半导体装置,其特征是具备有:第1层配线层,经由第1绝缘膜形成在半导体基板上;第2绝缘膜,形成在上述第1层配线层上;侧壁绝缘膜,形成在上述第1层配线层之侧壁和上述第2绝缘膜之侧壁,因而使接近上述半导体基板之膜之宽度变大;第2层配线层,以上述第2绝缘膜及上述侧壁绝缘膜作为层间绝缘膜,从上述第1层配线层上方接合在上述第1层配线层之上述半导体基板之露出面。2﹒如上述申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征是以上述第1层配线层作为闸电极。3﹒如上述申请专利范围第1或2项所述之半导体装置,其特征是上述第1层配线层由多结晶矽,Mo,W,Ti,Pt等之高熔点金属,上述高熔点金属之矽化物,或其组合之多层膜所形成。4﹒如上述申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征是在上述第1层配线层之上述半导体基板之露出面之F形成有扩散层用来形成源极区域或吸极区域。5﹒一种半导体装置,其特征是具有第1层配线层经由第1绝缘膜形成在半导体基板上,第2层配线层经由第2绝缘膜形成在上述第1层配线层之上方,在上述半导体基板中形成有扩散层用来形成源极区域和吸极区域,扩散层之连接部邻接上述之第1层配线层之闸电极部,而且上述之第2层配线层经由上述之第2绝缘膜与上述之第1层配线层形成交叉之构造,设在上述第2绝缘膜之开口部含有上述第2层配线层和上述扩散层之连接部,该开口部至少在上述第2层配线层之配线方向,成为比形成在上述闸电极部之侧壁之侧壁绝缘膜和上述扩散层表面之境界大,而且上述第2层配线层和上述闸电极部在其交叉部利用上述之侧壁绝缘膜,或形成在上述闸电极部上方之上述第2绝缘膜,或是由其二者形成之层间绝缘膜来互相分离。6﹒如上述申请专利范围第5项所述之半导体装置,其特征是上述第1层绝缘膜是由多结晶矽,或Mo,W,Ti,Pt等之高熔点金属,或是上述高熔点金属之矽化物等之1层,或是上述多结晶矽和上述高熔点金属之矽化物之2层之聚化物等之组合积层膜所形成。7﹒如上述申请专利范围第1或5项所述之半导体装置,其特征是上述之层间绝缘膜之最薄部份至少在500A以上。8﹒一种半导体装置,其特征是具有第1层配线层及第2层配线层其构成是利用经由第1绝缘膜形成在半导体基板上之多结晶矽或高熔点金属或高熔点金属之矽化物所形成之1层或聚化物或其组合之多层膜,以及形成在上述半导体基板中之扩散层,上述第2层配线层之连接部邻接由上述第1层配线层所形成之闸电极部,而且上述第2层配线层在此部份经由第2绝缘膜与上述之第1层配线层形成交叉之构造,设在上述第2绝缘膜之开口部含有下述第2层配线层和上述扩散层之连接部,该开口部成为比上述扩散层之表面和形成在上述闸电极部之侧壁之侧壁绝缘膜之境界大。9﹒如上述申请专利范围第5或8项所述之半导体装置,其特征是上述开口部延伸到由上述第1层配线层所形成之上述闸电极部之上方。10﹒一种半导体装置,其特征是具有第1层配线层经由第1绝缘膜形成在半导体基板上,第2层配线层形成在上述第1层配线层之上方,在上述半导体基板中形成有扩散层用来形成源极区域和吸极区域,扩散层之连接部邻接上述之第1层配线层之闸电极部,而且上述之第2层配线层经由上述之第2绝缘膜与上述之第1层配线层形成交叉之构造,设在上述第2绝缘膜之开口部含有上述第2层配线层和上述扩散层之连接部,该开口部至少在上述第2层配线层之配线方向,成为比形成上述闸电极部之侧壁之侧壁绝缘膜和上述扩散层表面之境界大,至少在上述第2层绝缘层和上述扩散层之连接部份之间,所配置之导体层是由高熔点金属或高熔点金属之矽化物或高熔点金属之氮化物之中之一层或多层来形成。11﹒如上述申请专利范围第10项所述之半导体装置,其特征是在上述第2层配线层和上述扩散层之连接部处,上述扩散层之矽表面之宽度比上述第2层配线层之宽度大。12﹒一种半导体装置之制造方法其特征是所具备之步骤包含有:形成工程,将第1绝缘膜形成在半导体基板上;形成工程,利用多结晶矽,或Mo,W,Ti,Pt等之高熔点金属,或上述高熔点金属之矽化物之1层,或其组合之多层膜,在上述第1绝缘膜上形成第1层配线层;形成工程,在上述之第1层配线层上形成第2绝缘膜;形成工程,对上述第2绝缘膜及上述第1层配线层进行配线图型之制作藉以形成电极;形成工程,在上述电极之侧壁形成侧壁绝缘膜;形成工程,在上述之电极,上述之侧壁组缘膜,和上述之半导体基板上形成第3绝缘膜;形成工程,从上述电极之上方到上述电极之半导体基板上,利用蚀刻方法将上述第3绝缘膜除去,用来形成含有上述半导体基板之露出面之开口部;形成工程,在上述之开口部上形成第2层配线层。13﹒如上述申请专利范围第12项所述之半导体装置之制造方法,其特征是使上述之电极作为闸电极。14﹒一种半导体装置之制造方法其特征是所具备之步骤包含有:形成工程,在半导体基板表面形成闸极绝缘膜后,利用聚矽层,高熔点金属层,高熔点金属矽化物层,或其二者之组合来形成聚化物层之第1层配线层;形成工程,利用CVD或氧化等之热处理,在该第1层配线层上全面的形成第1绝缘膜;形成工程,在该第1绝缘膜上形成第1光抗蚀剂图型;除去工程,利用蚀刻方法除去该第1绝缘膜,对该第1层配线层进行蚀刻用来形成闸电极,然后除去上述之第1光抗蚀剂;形成工程,对上述之闸电极进行掩蔽,将第1导电型不纯物之离子导入上述之基板藉以形成第1导电型低浓度层;形成工程,其次利用CVD或氧化等之热处理将第2绝缘膜全面的形成在闸电极上方及基板上方;形成工程,利用反应性蚀刻法进行全面之蚀刻除去,将侧壁形成在上述闸电极之侧面之壁;形成工程,将第1导电型不纯物之离子导入该基板藉以形成第1导电型高浓度层;形成工程,其次利用CVD等形成第3绝缘膜;形成工程,在上述第3绝缘膜上形成第2光抗蚀剂图型藉以在指定部份形成开口部;形成工程,利用蚀刻法将上述第2光蚀剂之指定部份除去,在上述扩散层和第2层配线层之间之连接部,自行整合的形成开口部;形成工程,使上述之第2层配线层至少形成在上述开口部上。15﹒一种半导体装置之制造方法,其特征是所具备之步骤包含有:形成工程,在半导体基板表面形成闸极绝缘膜后,利用聚矽层,高熔点金属层,高熔点金属矽化物层或其二者之组合之聚化物层,在其上形成具有第1绝缘膜之闸电极;形成工程,对上述闸极之电极及上述第1绝缘膜进行掩蔽,将第1导电型不纯物之离子导入上述之基板藉以形成第1导电型低浓度扩散层;形成工程,其次利用CVD或氧化等之热处理将第2绝缘膜全面的形成在含有闸电极上之第1绝缘膜上之基板;形成工程,利用反应性蚀刻法对上述第2绝缘膜进行全面之蚀刻除去,将侧壁形成在上述闸电极之侧面之壁;形成工程,将第1导电型不纯物之离子导入该基板藉以形成第1导电型高浓度层;形成工程,其次利用CVD等形成第3绝缘膜;形成工程,在上述第3绝缘膜上之指定部份形成光抗蚀剂图型藉以形成开口部;形成工程,利用蚀刻法将上述之光抗蚀剂之指定部份除去,在上述扩散层和第2层配线层之间之连接部,自行整合的形成开口部;形成工程,使上述之第2层配线层至少形成在上述开口部上。16﹒一种半导体装置之制造方法,其特征是所具备之步骤包含有:形成工程,在半导体基板表面形成闸极绝缘膜之后,利用第1聚矽层,高熔点金属层,高熔点金属矽化物层或其二者之组合之聚化物层,和形成在其上之第2聚矽,用来形成闸电极;形成工程,对上述之闸电极进行掩蔽,将第1导电型不纯物之离子导入上述之基板藉以形成第1导电型低浓度扩散层;氧化工程,利用高温将该第2聚矽之一部或全部加以氧化作为第1绝缘膜;形成工程,在该闸电极之侧面之壁形成侧壁;形成工程,将第1导电型不纯物之离子导入该基板藉以形成第1导电型高浓度扩散层;形成工程,其次利用CVD等形成第2绝缘膜;形成工程,用来形成光抗蚀剂图型藉以在上述第2绝缘膜上之指定部份形成开口部;形成工程,利用蚀刻法将上述光抗蚀剂之指定部份去除,在上述扩散层和第2层配线层之间之连接部形成开口部;形成工程,使上述之第2层配线层至少形成上述开口部上。图示简单说明第1图及第2图是先前技艺之半导体接置之构造剖面图及其连接部之平面图。第3(a)图-第3(e)图是LDD构造半导体之制造之工程说明图。第4图及第5图是本发明之半导体装置之主要剖面图及连接部之平面图。第6(a)图-第8(1)图,第7(a)图-第7(c)图,第8(a)图-第8(c)图,第9(a)图-第9(d)图及第10图分别为本发明之实施例2,3,4,5及6之半导体装置之制造方法之工程说明图和半导体装置之概略图。第11图(a)-(c)是用来说明本发明之图形,(a),(C)是剖面图,(b)是平面图。 |
