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<P>PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL ORIENTE EN SURFACE PRESENTANT UNE BASE DE FAIBLE LARGEUR.</P><P>ON UTILISE, POUR CETTE FABRICATION, UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN 26 NON DOPE COMME MASQUE D'IMPLANTATION IONIQUE LORS DE L'IMPLANTATION D'IONS POUR LES REGIONS D'EMETTEUR ET DE BASE. POUR FORMER LE MASQUE DE POLYSILICIUM DOPE, ON FORME UNE PREMIERE COUCHE 24 DE MATERIAU DE MASQUE DE DOPAGE SUR LA SURFACE D'UNE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 12, PUIS UNE SECONDE COUCHE DE POLYSILICIUM NON DOPE 26 SUR LA PREMIERE COUCHE 24 ET ENFIN UNE TROISIEME COUCHE 28 DE MATERIAU DE MASQUE DE DOPAGE SUR LA SECONDE COUCHE 26. DES PARTIES DES SECONDE ET TROISIEME COUCHES 26, 28 SONT ELIMINEES ET L'ON DIFFUSE UNE IMPURETE DE DOPAGE DANS LA PARTIE MARGINALE EXPOSEE DE LA SECONDE COUCHE 26. LA TROISIEME COUCHE 28 ET LA PARTIE NON DOPEE DE LA SECONDE COUCHE 26 SONT ALORS ELIMINEES, CE QUI NE LAISSE SUBSISTER QUE LA PARTIE DOPEE DE LA SECONDE COUCHE 26 SUR LA PREMIERE COUCHE 24.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS OFFRANT DES DIMENSIONS SUBMICRONIQUES ET, PLUS PARTICULIEREMENT, D'UN DISPOSITIF LOGIQUE D'INJECTION INTEGRE.</P>
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