| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf eine Methode zur Erzeugung der Substratvorspannung für eine monolithisch intergrierte Halbleiterschaltung. Bei üblichen Schaltungen dieser Art ist das die Schaltung aufnehmende Halbleiterplättchen mit zwei an je ein Versorgungspotential zu legenden externen Anschlüssen versehen. Außerdem ist in der Schaltung ein sog. Substratvorspannungsgenerator zur Erzeugung einer Gleichspannung vorgesehen, die zwischen dem die einzelnen Elemente der integrierten Schaltung aufnehmenden Substratbereich des Halbleiterplättchen und z. B. einen für das Bezugsbetriebspotential zuständigen Schaltungspunkt der eigentlichen integrierten Halbleiterschaltung liegt. Der Substratvotspannungsgenerator wird bei den üblichen integrierten Halbleiterschaltungen unmittelbar von den beiden externen Versorgungsanschlüssen beaufschlagt. Um nun eine Möglichkeit zu schaffen, die Betriebsspannung zwischen den beiden Versorgungsanschlüssen zu reduzieren, ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die an den beiden Versorgungsanschlüssen des Halbleiterplättchens anleigende Spannung durch die Serienschaltung des Substrationsvorspannungserzeugers und der integrierten Schaltung so geteilt ist, daß das erforderliche Bezugsbetriebspotential für die eigentliche integrierte Schaltung entsteht.
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