Method of doping silicium substrates by diffusion of boron and use of this method for the manufacture of the base zones of bipolar transistors.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor. Gemäß der Erfindung wird das in einem ersten Wärmeprozeß durch Überleiten eines eine festgelegte Bormenge und Bor und Sauerstoff in einem festgelegten Mengenverhältnis enthaltenden Gasgemisches über Siliciumkörper entstandene Borsilicatglas (7, 9) in einem Ätzzyklus, bei dem eine im Verhältnis 1:10 mit Wasser verdünnte Flußsäure, anschließend eine wässrige schwefelsaure KMnO4-Lösung und gegebenenfalls eine im Verhältnis 1:10 mit Wasser verdünnte Flußsäure angwendet werden, bei Zimmertemperatur vollständig abgelöst. In Gegenwart der S1B6-Schicht (8), die in dem zuvor angegebenen Ätzzyklus nicht angegriffen wird, wird Bor in einem zweiten Wärmeprozeß in das Silicium hineingetrieben. Der zweite Wärmeprozeß kann je nach dem gewünschten Schichtwiderstandswert (RS) und der Eindringtiefe (xj) in oxidierender oder inerter Atmosphäre erfolgen. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können sehr homogene und gut reproduzierbare Diffusionsergebnisse innerhalb sehr enger Toleranzen erhalten werden.