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<P>Un dispositif pour l'application par croissance épitaxiale d'une couche de matière semi-conductrice sur une face plane d'un substrat comporte un mécanisme de coulisseau qui est pourvu d'un porte-réservoir, comportant au moins un réservoir ouvert à son extrémité inférieure, d'un tiroir obturant la face intérieure du porte-réservoir, qui présente au moins une ouverture pour débiter de la matière fondue d'un réservoir du porte-réservoir et qui est en outre pourvu d'un porte-substrat dans lequel au moins un évidement est prévu pour la réception d'un substrat. Le mécanisme de coulisseau comporte aussi un organe capteur de matière fondue qui se trouve en dessous du porte-réservoir, le porte-substrat pouvant coulisser par rapport à l'organe capteur de matière fondue et pouvant, en coulissant, démasquer une ouverture prévue dans le tiroir de séparation de la matière fondue, afin de déposer, dans l'organe capteur, la matière fondue dans cette ouverture. <BR/> Application : Dispositif semiconducteur. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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