发明名称 Process for producing a silicon carbide structure.
摘要 <p>Une structure de carbone est imprégnée par passage dans un bain contenant 10 à 30 % en poids de résine fugitive, 20 à 40 % en poids de poudre de silicium, le reste étant constitué par un solvant de la résine ; puis est séchée de manière à éliminer le solvant et à obtenir une structure manipulable revêtue de résine et de poudre de silicium prise dans la résine ; et est soumise à un traitement thermique pour faire réagir le silicium avec le carbone et obtenir la structure de carbure de silicium.</p>
申请公布号 EP0032097(A1) 申请公布日期 1981.07.15
申请号 EP19800401873 申请日期 1980.12.26
申请人 SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION SOCIETE ANONYME DITE 发明人 VALLET, ANDRE MICHEL
分类号 C04B35/622;C01B31/36;C04B35/56;C04B35/573;C04B35/80;(IPC1-7):04B35/56;01B31/36;01F9/08;04B35/80 主分类号 C04B35/622
代理机构 代理人
主权项
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