发明名称 |
Process for producing a silicon carbide structure. |
摘要 |
<p>Une structure de carbone est imprégnée par passage dans un bain contenant 10 à 30 % en poids de résine fugitive, 20 à 40 % en poids de poudre de silicium, le reste étant constitué par un solvant de la résine ; puis est séchée de manière à éliminer le solvant et à obtenir une structure manipulable revêtue de résine et de poudre de silicium prise dans la résine ; et est soumise à un traitement thermique pour faire réagir le silicium avec le carbone et obtenir la structure de carbure de silicium.</p> |
申请公布号 |
EP0032097(A1) |
申请公布日期 |
1981.07.15 |
申请号 |
EP19800401873 |
申请日期 |
1980.12.26 |
申请人 |
SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION SOCIETE ANONYME DITE |
发明人 |
VALLET, ANDRE MICHEL |
分类号 |
C04B35/622;C01B31/36;C04B35/56;C04B35/573;C04B35/80;(IPC1-7):04B35/56;01B31/36;01F9/08;04B35/80 |
主分类号 |
C04B35/622 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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