CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CAPACITIVE READ-SIGNAL AMPLIFICATION IN AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY WITH MTL TECHNIQUE MEMORY CELLS,申请号EP19800105782-传众专利搜索

发明名称	CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CAPACITIVE READ-SIGNAL AMPLIFICATION IN AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY WITH MTL TECHNIQUE MEMORY CELLS
摘要
申请公布号	EP0031001(A3)	申请公布日期	1981.07.15
申请号	EP19800105782	申请日期	1980.09.25
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	BROSCH, RUDOLF;HEIMEIER, HELMUT;KLEIN, WIELFRIED;WERNICKE, FRIEDRICH
分类号	G11C11/41;G11C11/411;G11C11/416;(IPC1-7):G11C11/40	主分类号	G11C11/41
代理机构		代理人
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