发明名称 |
Growing doped III-V alloy layers by molecular beam epitaxy |
摘要 |
|
申请公布号 |
GB2066299(A) |
申请公布日期 |
1981.07.08 |
申请号 |
GB19800043742 |
申请日期 |
1979.12.19 |
申请人 |
PHILIPS ELECTRONIC & ASSOCIATED INDUSTRIES LTD |
发明人 |
|
分类号 |
C30B23/02;(IPC1-7):C23C13/00;H01L21/20 |
主分类号 |
C30B23/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|