| 摘要 |
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE CAISSON DANS DES CIRCUITS INTEGRES.SELON CE PROCEDE, DES ZONES DE TYPE P SONT IMPLANTEES DANS UN SUBSTRAT 1 DE SILICIUM DE TYPE P A LA PERIPHERIE DE COUCHES ENTERREES DU TYPE N, AVANT DE PROCEDER A UNE CROISSANCE EPITAXIALE 4. APRES CELA, ON PROCEDE A UNE EXODIFFUSION POUR FORMER DES MURS D'ISOLEMENT 2 DE TYPE P. UN TRAITEMENT ANODISANT PUIS OXYDANT PEUT TRANSFORMER CES MURS EN MURS DE SILICE.APPLICATION A LA MINIATURISATION DES CIRCUITS INTEGRES.
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