FABRICATION DE CIRCUIT MICROMINIATURE A L'ETAT SOLIDE ET CIRCUITS AINSI OBTENUS

摘要

MASQUE POUR PROJECTEUR D'IMAGE A FAISCEAU D'ELECTRONS.UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 1 EST MONTE DANS UN PROJECTEUR D'IMAGE A FAISCEAU D'ELECTRONS AVEC UN MASQUE 13. LE FAISCEAU D'ELECTRONS DE FORME DONNEE PROVENANT DU MASQUE 13 COMPORTE UN PREMIER SOUS-MOTIF 22A ET UN SECOND SOUS-MOTIF 22B DE MOINDRE INTENSITE. LA DIFFERENCE D'INTENSITE DES DEUX SOUS-MOTIFS PERMET L'ALIGNEMENT AUTOMATIQUE DUDIT FAISCEAU D'ELECTRONS PAR RAPPORT AU SUBSTRAT 1 PAR DETECTION DU MOMENT OU LE PREMIER SOUS-MOTIF 22A FRAPPE UN MOTIF DE REFERENCE 7 PREVU SUR LE SUBSTRAT 1 TANDIS QUE LES PREMIER ET SECOND SOUS-MOTIFS EXPOSENT ENSEMBLE UNE COUCHE SENSIBLE AUX ELECTRONS 11 DANS TOUTE LA ZONE DU MOTIF DE REFERENCE 7. LA PARTIE DE LADITE COUCHE 11 MAINTENUE APRES DEVELOPPEMENT PEUT ETRE UTILISEE COMME MASQUE DE GRAVURE PENDANT LA DELIMITATION D'UNE COUCHE PROTECTRICE OU L'ELIMINATION D'UNE MATIERE INDESIRABLE DE TOUTE LA ZONE DU MOTIF DE REFERENCE 7 SUIVANT QUE LA COUCHE EST UNE MATIERE SENSIBLE AUX ELECTRONS NEGATIVE OU POSITIVE.APPLICATION: CIRCUITS INTEGRES.