发明名称 LASER SEMI-CONDUCTEUR
摘要 <P>LASER SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE COUCHE ACTIVE DE PREMIER TYPE DE CONDUCTION COMPORTANT UNE REGION ACTIVE EN FORME DE BANDE FORMEE PAR UN DOPAGE DONNANT LIEU AU DEUXIEME TYPE DE CONDUCTION SUR AU MOINS UNE PARTIE DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE ACTIVE 7. CONFORMEMENT A L'INVENTION, LA REGION ACTIVE EST FORMEE PAR PLUSIEURS ZONES DE DEUXIEME TYPE DE CONDUCTION ENTRE LESQUELLES SE TROUVE DU MATERIAU DE PREMIER TYPE DE CONDUCTION, TANDIS QUE VUE SUIVANT LA LONGUEUR DE LA REGION ACTIVE, LA DIMENSION LA PLUS GRANDE DESDITES ZONES EST EGALE AU MAXIMUM 20UM. EN CAS DE PHENOMENES DE VIEILLISSEMENT, LES DEFAUTS DE RESEAU CRISTALLINS DANS UNE ZONE NE S'ETENDENT PAS PLUS LOIN QUE LES LIMITES DE CELLE-CI.</P><P>APPLICATION: FABRICATION DE LASERS A HETEROJONCTION DOUBLE.</P>
申请公布号 FR2471683(A1) 申请公布日期 1981.06.19
申请号 FR19800025873 申请日期 1980.12.05
申请人 PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN NV 发明人 PETER JAN DE WAARD
分类号 H01S5/00;H01S5/042;H01S5/10;H01S5/12;H01S5/20;(IPC1-7):H01S3/19 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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