发明名称 MEMOIRE PERMANENTE INTEGREE DE GRANDE DENSITE
摘要 <P>MEMOIRE A TRANSISTORS COMPRENANT NLIGNES DE MOTS WL1 A WLN ET MLIGNES DE BITS BL1 A BLM.</P><P>LA LECTURE DES INFORMATIONS REPRESENTEES PAR LA PRESENCE OU L'ABSENCE D'UN TRANSISTOR AYANT SON EMETTEUR CONNECTE A UNE LIGNE DE BITS EST REALISEE AU MOYEN DE TRANSISTORS DE LECTURE TL. LES TRANSISTORS TL1 A TLM SONT REPARTIS EN KGROUPES DE MKTRANSISTORS DISPOSES DANS LE MEME LIT EPITAXIAL DE COLLECTEUR AVEC UN CONTACT COLLECTEUR COMMUN C1 POUR LE PREMIER GROUPE, CK POUR LE KGROUPE, CONNECTE A UN CIRCUIT DE LECTURE CL1, ..., CLK. DES CIRCUITS DE SELECTION PERMETTENT LA SELECTION D'UNE DES LIGNES BSI, AVEC 1IMK.</P><P>APPLICATION AUX MEMOIRES PERMANENTES DE GRANDE DENSITE.</P>
申请公布号 FR2471024(A1) 申请公布日期 1981.06.12
申请号 FR19790030422 申请日期 1979.12.07
申请人 IBM FRANCE 发明人 MICHEL JOSEPH JEAN-MARIE GRANDGUILLOT, PIERRE BERNARD MOLLIER ET JEAN-PAUL JULES JEAN BAPTISTE NUEZ;MOLLIER PIERRE BERNARD;NUEZ JEAN-PAUL JULES JEAN BAPT
分类号 G11C17/00;G11C17/08;(IPC1-7):G11C11/40 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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