摘要 |
<P>MEMOIRE A TRANSISTORS COMPRENANT NLIGNES DE MOTS WL1 A WLN ET MLIGNES DE BITS BL1 A BLM.</P><P>LA LECTURE DES INFORMATIONS REPRESENTEES PAR LA PRESENCE OU L'ABSENCE D'UN TRANSISTOR AYANT SON EMETTEUR CONNECTE A UNE LIGNE DE BITS EST REALISEE AU MOYEN DE TRANSISTORS DE LECTURE TL. LES TRANSISTORS TL1 A TLM SONT REPARTIS EN KGROUPES DE MKTRANSISTORS DISPOSES DANS LE MEME LIT EPITAXIAL DE COLLECTEUR AVEC UN CONTACT COLLECTEUR COMMUN C1 POUR LE PREMIER GROUPE, CK POUR LE KGROUPE, CONNECTE A UN CIRCUIT DE LECTURE CL1, ..., CLK. DES CIRCUITS DE SELECTION PERMETTENT LA SELECTION D'UNE DES LIGNES BSI, AVEC 1IMK.</P><P>APPLICATION AUX MEMOIRES PERMANENTES DE GRANDE DENSITE.</P>
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