发明名称 STRUCTURE ET PROCEDE DE MONTAGE D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PRINCIPAL ET D'UN CIRCUIT AUXILIAIRE
摘要 <p><P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE ET UNE STRUCTURE DE MONTAGE EN BOITIER UNIQUE D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PRINCIPAL ET D'UN CIRCUIT AUXILIAIRE.</P><P>SELON L'INVENTION, LE COMPOSANT PRINCIPAL 10 COMPREND UNE METALLISATION PRINCIPALE 13 ET DES METALLISATIONS 100, 101, 102. UN COMPOSANT AUXILIAIRE 11 PRESENTE DES METALLISATIONS 110, 111, 112 EN REGARD DES METALLISATIONS 101 ET 102 ET EST APPLIQUE PAR PRESSION CONTRE LE COMPOSANT PRINCIPAL.</P><P>APPLICATION AU MONTAGE DE DIODE DE DESTOCKAGE SUR DES COMPOSANTS DE PUISSANCE.</P></p>
申请公布号 FR2471048(A1) 申请公布日期 1981.06.12
申请号 FR19790030125 申请日期 1979.12.07
申请人 SILICIUM SEMICONDUCTEUR SSC 发明人 PIERRE BACUVIER
分类号 H01L21/60;H01L23/48;H01L23/58;H01L25/18;H01L29/06;H01L29/861;(IPC1-7):01L21/603;01L23/52;05K13/04 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
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