| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION SE RAPPORTE AUX FILTRES A CAPACITES COMMUTEES A TRANSFERT DE CHARGES.</P><P>LES CAPACITES DU FILTRE A CAPACITES COMMUTEES SONT REALISEES EN TECHNOLOGIE MOS. LA LIAISON ENTRE DEUX CAPACITES DONT LES ARMATURES CONSTITUEES PAR LE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR SE TROUVENT PERIODIQUEMENT RELIEES D'APRES LE SCHEMA ELECTRIQUE SE FAIT PAR TRANSFERT DE CHARGES DANS LE SUBSTRAT SUR LEQUEL CES DEUX CAPACITES SONT INTEGREES. L'ARMATURE EXTERNE DE CHAQUE CAPACITE RECOIT, SELON LE SCHEMA ELECTRIQUE, LA TENSION D'ENTREE E, UNE TENSION DE REFERENCE V OU LE POTENTIEL DE SURFACE SOUS UNE AUTRE CAPACITE QUI EST FOURNIE PAR UN DISPOSITIF DE LECTURE ET DE REINJECTION CONSTITUE D'UNE DIODE D ET D'UN ETAGE SUIVEUR DE TENSION T, T.</P><P>APPLICATION AU FILTRAGE DE SIGNAUX ELECTRIQUES.</P>
|
