| 摘要 |
<p>Ein aus ausschließlich horizontal übereinanderliegenden Halbleiterzonen (29, 44, 11) aufgebauter, seine Anschlüsse nur in einem einzigen Oberflächenbereich aufweisender Transistor, dessen oberste Zone (29) den ersten Transistoranschluß trägt und dessen unterste Zone (11) an einem sich bis zur Plättchenoberfläche erstreckenden, einen zweiten Transistoranschluß tragenden Halbleiterdurchgang (30) liegt, ist einschließlich dieses Halbleiterdurchgangs (30) in ein über einem verdickten Wandbereich einen dritten Transistoranschluß aufweisendes, dielektrisches isolierendes Rohr (19) eingebettet. Die mittlere, die Basis darstellende Zone (44) ist, über ihrer gesamten Umfangsfläche elektrisch kontaktierend, von einer den dritten Transistoranschluß tragenden, in ihrem restlichen Teil einen dielektrischen Überzug (38) aufweisenden, polykristallinen, elektrisch leitenden Schicht (39) umgeben, die bis auf ihren den Halbleiterdurchgang (30) überquerenden Schichtteil in die Rohrwandung (19) eingebettet ist. Dieser Schichtteil ist seinerseits in eine die Rohröffnung überquerende, dielektrische Isolationsbrücke (15) eingebettet. Dank großer Transistorenanschlußabstände und gegenüber Emitter- und Kollektorabmessungen unwesentlich größere Basisabmessungen liegen minimale Streukapazitäten vor.</p> |
