摘要 |
<P>L'INVENTION A POUR BUT DE RESOUDRE LES PROBLEMES POSES PAR LA MISE EN PARALLELE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE (A TRES HAUTE FREQUENCE) LORSQUE LE COLLECTEUR DOIT ETRE ISOLE DE LA MASSE, CE QUI ENTRAINE L'UTILISATION DE PLAQUETTES D'OXYDE DE BERYLLIUM MULTIPLES (A CAUSE DE LEUR FRAGILITE) AINSI QUE L'INTRODUCTION D'INDUCTANCES PARASITES DUES A LA COMPLEXITE DES RACCORDEMENTS ELECTRIQUES.</P><P>A CET EFFET, QUATRE TRANSISTORS 1 A 4 SONT SOUDES SUR DES PLAQUETTES DE BE O PORTANT UNE SERIE DE BORNES 14, 24, 34 ET 44 OCCUPANT UNE POSITION CENTRALE DESTINEE A ETRE RACCORDEES A UNE PREMIERE METALLISATION PLACEE AU-DESSUS ET UNE DEUXIEME SERIE DE BORNES 11, 21, 31 ET 41 A RACCORDER A UNE DEUXIEME METALLISATION EGALEMENT PLACEE AU-DESSUS. LES DEUX METALLISATIONS SONT PLACEES SUR UNE MEME PLAQUE DE CERAMIQUE FORMANT LE COUVERCLE D'UN BOITIER OU LES TRANSISTORS SONT SOUDES A UN FOND METALLIQUE.</P><P>APPLICATION AUX AMPLIFICATEURS A TRES HAUTE FREQUENCE.</P>
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