发明名称 DISPOSITIF DE MISE EN PARALLELE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE EN TRES HAUTE FREQUENCE ET AMPLIFICATEUR UTILISANT CE DISPOSITIF
摘要 <P>L'INVENTION A POUR BUT DE RESOUDRE LES PROBLEMES POSES PAR LA MISE EN PARALLELE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE (A TRES HAUTE FREQUENCE) LORSQUE LE COLLECTEUR DOIT ETRE ISOLE DE LA MASSE, CE QUI ENTRAINE L'UTILISATION DE PLAQUETTES D'OXYDE DE BERYLLIUM MULTIPLES (A CAUSE DE LEUR FRAGILITE) AINSI QUE L'INTRODUCTION D'INDUCTANCES PARASITES DUES A LA COMPLEXITE DES RACCORDEMENTS ELECTRIQUES.</P><P>A CET EFFET, QUATRE TRANSISTORS 1 A 4 SONT SOUDES SUR DES PLAQUETTES DE BE O PORTANT UNE SERIE DE BORNES 14, 24, 34 ET 44 OCCUPANT UNE POSITION CENTRALE DESTINEE A ETRE RACCORDEES A UNE PREMIERE METALLISATION PLACEE AU-DESSUS ET UNE DEUXIEME SERIE DE BORNES 11, 21, 31 ET 41 A RACCORDER A UNE DEUXIEME METALLISATION EGALEMENT PLACEE AU-DESSUS. LES DEUX METALLISATIONS SONT PLACEES SUR UNE MEME PLAQUE DE CERAMIQUE FORMANT LE COUVERCLE D'UN BOITIER OU LES TRANSISTORS SONT SOUDES A UN FOND METALLIQUE.</P><P>APPLICATION AUX AMPLIFICATEURS A TRES HAUTE FREQUENCE.</P>
申请公布号 FR2470445(A1) 申请公布日期 1981.05.29
申请号 FR19790028692 申请日期 1979.11.21
申请人 THOMSON CSF 发明人 JEAN-CLAUDE RESNEAU, MARIUS CIRIO ET JEAN DOYEN;CIRIO MARIUS;DOYEN JEAN
分类号 H01L23/34;H01L23/057;H01L23/48;H01L23/538;H01L23/66;H01L25/04;H01L25/07;H01L25/18;(IPC1-7):01L27/08;03F3/20 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人
主权项
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