| 摘要 |
<P>CELLULE DE MEMOIRE POUR UNE MEMOIRE STATIQUE DANS LAQUELLE LE NOMBRE DE LIGNES DE COMMANDE X, X, Y EST RAMENE AU MAXIMUM A TROIS PAR UTILISATION D'UNE DIODE 3 DANS LE PREMIER CIRCUIT DE COLLECTEUR OU DU MONTAGE EN SERIE D'UNE DIODE 4 ET D'UNE RESISTANCE 5 DANS L'AUTRE CIRCUIT DE COLLECTEUR D'UNE BASCULE ECCLES-JORDAN 1, 2, CES DIODES 4, 5 PRESENTANT UNE COURBE EXPONENTIELLE A EXPOSANT MOINS ELEVE QUE LES DIODES CLASSIQUES.</P>
|
