首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED CURRENT LEAKAGE
摘要
申请公布号 CA830684(A) 申请公布日期 1969.12.23
申请号 CAD830684 申请日期
申请人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION 发明人 PHILIP S. SHIOTA;HUNG C. LIN
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com