| 摘要 |
<P>L'invention concerne la technologie des semi-conducteurs. Une structure. conductrice composite comprend un substrat isolant 13, 14 dont la surface supérieure porte une couche de silicium polycristallin 15a de configuration déterminée. Un conducteur composite est formé par un conducteur en métal réfractaire 17 et par une couche de siliciure de ce métal 18 qui entoure les surfaces à nu du conducteur. </P><P>Application à la fabrication des circuits intégrés.</P>
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