| 发明名称 |
PROCEDE DE PROGRAMMATION POUR UNE MEMOIRE NON VOLATILE A SEMI-CONDUCTEUR MODIFIABLE ELECTRIQUEMENT DU TYPE EFFACABLE PAR GROUPES DE CELLULES |
| 摘要 |
<P>Pour enregistrer un nombre binaire dans une ligne de la mémoire, toutes les cellules de la ligne sont chargées, puis effacées. Les cellules sont ensuite chargées individuellement de manière à représenter le nombre binaire. De cette façon, on évite les inconvénients dus à la dégradation des cellules et on rend maximale la durée utile de la mémoire. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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| 申请公布号 |
FR2467463(A1) |
申请公布日期 |
1981.04.17 |
| 申请号 |
FR19800020186 |
申请日期 |
1980.09.19 |
| 申请人 |
SGS ATES COMPONENTI ELETTRONICI |
发明人 |
VINCENZO DANIELE, GIUSEPPE CORDA, ALDO MAGRUCCI ET GUIDO TORELLI;CORDA GIUSEPPE;MAGRUCCI ALDO;TORELLI GUIDO |
| 分类号 |
G11C16/04;G11C16/10;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/40 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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