| 发明名称 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTUNGEN, INSBESONDERE CCD-SCHALTUNGEN, MIT SELBSTJUSTIERTEN, NICHT UEBERLAPPENDEN POLY-SILIZIUM-ELEKTRODEN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE2939488(A1) |
申请公布日期 |
1981.04.16 |
| 申请号 |
DE19792939488 |
申请日期 |
1979.09.28 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
WIDMANN,DIETRICH,DR.-ING. |
| 分类号 |
H01L29/762;H01L21/339;H01L21/8234;(IPC1-7):H01L29/66;H01L21/28;H01L21/88 |
主分类号 |
H01L29/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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