| 发明名称 |
TENSIONE, PASSIVATO CON UNO STRATO DISPOSITIVO SEMICONDUTTORE PER ALTA DI SILICIO POLICRISTALLINO DROGATO CON OSSIGENO. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8120995(D0) |
申请公布日期 |
1981.04.08 |
| 申请号 |
IT19810020995 |
申请日期 |
1981.04.08 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
KOONS PATRICK ROBERT;NEILSON JOHN MANNING SAVIDGE |
| 分类号 |
H01L21/314;H01L21/3105;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/314 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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