发明名称 Speicherzellennachbildung zur Referenzspannungserzeugung fuer Halbleiterspeicher in MTL-Technik
摘要
申请公布号 DE2943565(B1) 申请公布日期 1981.04.02
申请号 DE19792943565 申请日期 1979.10.29
申请人 IBM DEUTSCHLAND GMBH, 7000 STUTTGART, DE 发明人 HEUBER, KLAUS, DIPL.-ING., 7030 BOEBLINGEN, DE;KLINK, ERICH, DIPL.-ING., 7036 SCHOENAICH, DE;RUDOLPH, DIPL.-PHYS. DR., VOLKER, 7031 AIDLINGEN, DE;WIEDMANN, DIPL.-ING. DR., SIEGFRIED, 7000 STUTTGART, DE
分类号 G11C11/414;G11C11/4063;G11C11/413;H01L21/822;H01L21/8229;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/102;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/40 主分类号 G11C11/414
代理机构 代理人
主权项
地址