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Un procede et un appareil de lithographie a rayons ioniques de haute resolution, de rendement eleve sont utilises dans la fabrication de dispositifs et de circuits integres a semi-conducteurs. Les distorsions laterales des tranches qui se produisent dans les pieces a usiner des tranches posent le probleme de l'alignement precis du rayon ionique avec la tranche. De plus, il est difficile de produire un rayon ionique collimate de diametre suffisant pour une cible de grande surface. Ces problemes sont surmontes en exposant des segments selectionnes de la tranche sur un modele a rayons ioniques projetes suivant un mode de copiage par repetitions jusqu'a ce que toute la cible soit exposee, optimisant ainsi la resolution, le rendement, la production et le cout du procede. Premierement, on utilise une cible (12) ayant des segments predetermines (14) definis sur celle-ci, un masque (16) place a proximite de la cible (12) pour definir le rayon ionique configure, un rayon ionique collimate projete au travers du masque (16) pour former le rayon ionique configure, et des moyens (22, 34, 35) d'alignement du masque (16) et un segment selectionne (14) de la cible (12). La dimension de la surface de configuration du masque (16) est approximativement egale a la dimension de l'un des segments predetermines (14) de la cible (12). Ensuite, le masque (16) est aligne avec un premier segment selectionne (14) de la cible (12) et ce premier segment (14) est expose aux rayons ioniques configures, formes par projection du rayon ionique collimate au travers du masque (16). Finalement le masque (16) est aligne avec un second segment selectionne de la cible (12) et ce second segment est expose aux rayons ioniques configures. |
