Electronic protection for power amplifiers with MOSFET power transistors.

摘要

Elektronische Sicherung für Endverstärker mit MOS-FET-Endtransistoren (entsprechend P 29 37 780.8) Die Erfindung bezieht sich auf eine elektonische Sicherung in Endstufen mit Feldeffekt-Transistoren (9,22). Während bei bipolaren Transistoren als Kriterium für den Überlastungsfall ein an einem Emitter-Widerstand auftretender Spannungsabfall dient, wird bei der erfindungsgemäßen Schaltung die Gate-Source-Spannung (UG) als Kriterium für die Größe des Drain-Stromes (ID)verwendet.