摘要 |
IG-FET-Operationsverstärker mit Dämpfung der Gleichtaktkomponente der Eingangssignale (P15, P16). - mit einem Differenzverstärker, der drei Stromzweige mit je einem Verarmungstyp-Drainwiderstand (3, 4, 300) und mindestens einem Anreicherungstyp-Verstärker-FET (1, 2, 200, 100) enthält, wobei die Gates des ersten Verstärker-FET (1) im ersten Stromzweig sowie des dritten Verstärker-FET (2) im dritten Stromzweig mit dem ersten Signaleingang (P15), das Gate des zweiten Verstärker-FET (100) im zweiten Stromzweig mit dem zweiten Signaleingang (P16) und dessen Drain (über P10) mit dem Operationsverstärkerausgang (Aus) verbunden ist, der dritte Verstärker-FET (2) von einem vierten Anreicherungstyp-Verstärker-FET (200), dessen Gate mit dem zweiten Signaleingang (P16) verbunden ist, überbrückt ist, und ein gemeinsamer Anreicherungstyp-Sourcewiderstand (5) als Stromquelle dient, - mit einer Gleichtakt-Gegenkopplungsschaltung, die eine erste Verstärkerstufe mit einem ersten FET (6/18) und zweiten Anreicherungstyp-FET (7/20) enthält, wobei das Gate des ersten FET (6/18) mit dem Drain des dritten Verstärker-FET (2) und das Gate des zweiten FET (7/20) mit einer Vorspannung (P4/P5), sowie dessen Drain mit dem Gate des Sourcewiderstandes (5) verbunden ist. Die erste Verstärkerstufe (6,7) bildet gleichzeitig den Vorspannungserzeuger (18, 20), indem der Drain des zweiten FET (7/20) mit dem Gate dieses zweiten FET (7/20) verbunden ist und/oder der erste FET (6/18) ist vom Verarmungstyp.
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