发明名称 Process for the transfer of a pattern to a semiconductor slice.
摘要 <p>Es wird vorgeschlagen, bei der Herstellung integrierter Schaltungen durch Fotolithographie vor der Belichtung des Fotolackes (6) unmittelbar auf diesen einen ebenen, festen, lichtdurchlässigen Überzug (7) aufzubringen. Staubteilchen sammeln sich dadurch in einem Abstand von der Lackschicht (6), in welchem sie optisch weniger wirksam sind. Durch die Erhöhung der Gesamtdicke der den eigentlichen Halbleiter (5) bedeckenden Schicht (6 und 7) vermindert sich die Wahrscheinlichkeit für das Auftreten stehender Wellen.</p>
申请公布号 EP0025805(A1) 申请公布日期 1981.04.01
申请号 EP19790103567 申请日期 1979.09.21
申请人 CENSOR PATENT- UND VERSUCHS-ANSTALT 发明人 LOBACH, ERNST, DR.
分类号 G03F7/00;G03F7/09;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/312;(IPC1-7):03F7/20;01L21/00;01L21/312;03F7/02 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人
主权项
地址