| 发明名称 |
Field-effect transistor having a high cut-off frequency. |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne les dispositifs semi-conducteurs du type des transistors fonctionnant dans les fréquences élevées. Dans le but de rendre la caractéristique de courant drain/source linéaire avec la tension appliquée sur la grille, et de conserver une technologie de réalisation compatible avec les technologies existantes, l'invention prévoit de réaliser une couche (7) en AlxGa1-xAs située entre le substrat (1) et la couche active (8) en GaAs, tandis qu'une couche supplémentaire (11) en GaAs fortement dopé et une couche supplémentaire (12) en AlxGa1-xAs semi-isolant modifient les résistances d'accès de source et drain RS et RD et de sortie RB. Application aux dispositifs fonctionnant en hyperfréquence.</p> |
| 申请公布号 |
EP0025742(A1) |
申请公布日期 |
1981.03.25 |
| 申请号 |
EP19800401251 |
申请日期 |
1980.09.02 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF |
发明人 |
DELAGEBEAUDEUF, DANIEL;NUYEN, TRONG LINH |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/338;H01L29/10;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):01L29/80;01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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