CIRCUIT GENERATEUR DE TENSION DE REFERENCE DE BANDE INTERDITE

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT GENERATEUR DE TENSION DE REFERENCE QUI PEUT UTILISER LES TRANSISTORS BIJONCTION PARASITES FORMES PAR LES REGIONS DE DRAIN, LE PUITS DE TYPE P ET LE SUBSTRAT MONOLITHIQUE DE CIRCUITS INTEGRES DE TYPE CMOS.

UN PREMIER ET UN DEUXIEME TRANSISTOR AMPLIFICATEUR 32, 31 MONTES EN COLLECTEUR COMMUN SONT PLACES DE FACON QUE LES DENSITES DE COURANT EMPRUNTANT LEURS JONCTIONS BASE-EMETTEUR SOIENT MAINTENUES DANS UN RAPPORT PRESCRIT. LA DIFFERENCE DES DENSITES DE COURANT CREE UNE DIFFERENCE ENTRE LES POTENTIELS BASE-EMETTEUR, CETTE DIFFERENCE ETANT UTILISEE POUR PRODUIRE UN COURANT A COEFFICIENT DE TEMPERATURE POSITIF. CE COURANT PASSE DANS UNE RESISTANCE 35 CONNECTEE A L'EMETTEUR DU PREMIER TRANSISTOR ET PRODUIT UN POTENTIEL A COEFFICIENT DE TEMPERATURE POSITIF. LE POTENTIEL PRESENT AUX BORNES DE LA PREMIERE RESISTANCE 35 DU CIRCUIT D'EMETTEUR DU PREMIER TRANSISTOR 32 EST ADDITIONNE AU POTENTIEL BASE-EMETTEUR DU PREMIER TRANSISTOR AFIN DE PRODUIRE UNE TENSION DE REFERENCE SENSIBLEMENT INDEPENDANTE DE LA TEMPERATURE.