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Une cellule LAM non-remanente/remanente utilisant un multivibrateur bi-stable avec des condensateurs remanents, a seuil modifiable (307, 308) couples a ses bornes de sortie (A B) pour assurer un emmagasinage de reserve ou sauvegarde des donnees lors d'une coupure de d'alimentation. Les condensateurs remanents possedant chacun une section non-modifiable (307A, 308) et une section modifiable (307B, 308B), la section non-modifiable ayant soit un seuil d'appauvrissement soit un seuil d'enrichissement. La cellule RAM comprend a la fois des resistances en polysilicone (305, 306) et des dispositifs d'enrichissement (309, 310) dans les circuits de charge de chaque cellule pour produire un amorcage de la tension sur une des bornes (A B) du multivibrateur pendant une operation d'ecriture non-remanente/remanente. Une restitution non-inversee d'informations numeriques au multivibrateur bi-stable est effectuee par application simultanee d'une tension pas a pas sur la ligne de puissance de la cellule (123A) et une impulsion de restitution sur la porte (307C, 308C) des condensateurs remanents. Une restitution inversee alternative pour une cellule utilisant des seuils d'appauvrissement dans les sections non-modifiables (307A, 308A) des condensateurs remanents (307, 308) comprend la mise a la terre de l'electrode de porte (307C, 308C) des condensateurs remanents pour restituer l'information prealablement ecrite au multivibrateur. Un systeme de traitement des donnees utilisant le systeme RAM non-remanent/remanent avec une seule alimentation de puissance de 5 volts (40) et un generateur de signaux ecriture/restitution/effacement (50), fonctionnant sur 5 volts, avec la technologie des dispositifs a n-canaux silicium/isolateur/silicium (SIS), est illustre. |
