发明名称 Method of manufacturing a layer containig silicon with an hybrid structure between an amorphous and a polycrystalline form, and solar cell containig such a layer.
摘要 <p>L'invention concerne la réalisation de couches de silicium ou de l'un de ses alliages, pur ou dopé, capables d'absorber un rayonnement optique sous une faible épaisseur. Le procédé de l'invention comprend une première étape de dépôt de la couche par décomposition chimique d'un mélange gazeux contenant du silane à une température voisine de la température de cristallisation et une deuxième étape de traitement dans un plasma d'hydrogène, à une température inférieure. La couche obtenue a une conductivité comparable à celle d'une couche monocristalline et une absorption optique comparable à celle d'une couche amorphe. Application aux piles solaires.</p>
申请公布号 EP0024378(A1) 申请公布日期 1981.03.04
申请号 EP19800401051 申请日期 1980.07.11
申请人 THOMSON-CSF 发明人 KAPLAN, DANIEL;SOL, NICOLE;LANDOUAR, PIERRE
分类号 H01L31/04;H01L31/20;(IPC1-7):01L31/18;01L31/02 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人
主权项
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