| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF POUR FOURNIR UNE PUISSANCE A UN PLASMA DANS UNE MACHINE DE PULVERISATION AU MOYEN D'UNE ENERGIE A UNE FREQUENCE PREDETERMINEE DANS LA GAMME DU MEGAHERTZ, AVEC UNE ELECTRODE FORMANT CIBLE D'UNE SURFACE IMPORTANTE ET UN ENVIRONNEMENT METALLIQUE A LA MASSE, LA CAPACITE PARASITE DE LA CIBLE VERS L'ENVIRONNEMENT ETANT SUPERIEURE A 200PICOFARADS ET LA CHARGE DE PLASMA A UNE RESISTANCE EN PARALLELE AVEC LA CAPACITE PARASITE QUI EST SENSIBLEMENT SUPERIEURE A LA REACTANCE CAPACITIVE DE CETTE CAPACITE PARASITE.</P><P>SELON L'INVENTION, ON PREVOIT UNE SOURCE DE PUISSANCE 15 DE L'ORDRE DU MEGAHERTZ AYANT UNE IMPEDANCE RELATIVEMENT FAIBLE, UNE CIBLE 11 POUVANT FONCTIONNER EN TANT QUE CATHODE ET UN SUBSTRAT SUPPORTANT UNE ANODE 13 SENSIBLEMENT A LA MASSE, UN RESEAU DE CHARGE ENTRE LA SOURCE ET L'ELECTRODE COMPRENANT UN CIRCUIT RESONNANT EN PARALLELE 19, UN CONDENSATEUR VARIABLE D'ACCORD 27, UN CONDENSATEUR DE BLOCAGE EN COURANT CONTINU 33; LE RAPPORT QQL DU CIRCUIT RESONNANT EST SENSIBLEMENT SUPERIEUR A L'UNITE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AU DEPOT DIRECT DE COMPOSES.</P>
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