| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNIQUE DE GRAVURE CHIMIQUE PAR VOIE SECHE OBTENUE PAR BOMBARDEMENT IONIQUE D'UN SUBSTRAT PLACE DANS UNE ENCEINTE A VIDE. LE SUBSTRAT EST EN CONTACT AVEC UNE ELECTRODE RELIEE A UNE SOURCE A HAUTE FREQUENCE DONT LA MASSE EST RELIEEA LA MASSE DE L'ENCEINTE. LES ELEMENTS REACTIFS SONT PRODUITS SOUS FORME DE PLASMA PAR UNE DECHARGE ELECTRIQUE ENTRETENUE DANS L'ENCEINTE CONTENANT UN GAZ OU UN MELANGE DE GAZ APPROPRIE.</P><P>DANS CES CONDITIONS, ON OBTIENT SIMULTANEMENT L'ATTAQUE DU FOND D'UN SILLON A GRAVER ET UNE EROSION NOTABLE DE SES BORDS.</P><P>L'INVENTION EST CARACTERISEE EN CE QU'ON PRODUIT LE PLASMA A L'AIDE D'UNE SOURCE HYPERFREQUENCE 28 ET LA TENSION DE POLARISATION A L'AIDE D'UNE SOURCE A HAUTE FREQUENCE 18, LE REGLAGE DES FREQUENCES RESPECTIVES DES DEUX SOURCES PERMETTANT D'OBTENIR L'ATTAQUE DU FOND D'UN SILLON A GRAVER SANS EROSION DE SES BORDS.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES A HAUTE DENSITE.</P> |
