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<P>PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR DANS UNE COUCHE EPITAXIALE SIMULEE.</P><P>LE PROCEDE CONSISTE: A.A FORMER UNE COUCHE EPITAXIALE SIMULEE 18 D'UNE EPAISSEUR DONNEE EN DESSOUS DE LA SURFACE DU CORPS SEMI-CONDUCTEUR I EN IMPLANTANT DANS LE CORPS 10 DES IMPURETES D'UN TYPE DETERMINATEUR DE CONDUCTIVITE OPPOSE AU TYPE DE CONDUCTIVITE DU CORPS, A UNE PROFONDEUR 16, EN DESSOUS DE LA SURFACE 14 DU CORPS 10, QUI EST INFERIEURE A L'EPAISSEUR DESIREE DE LA COUCHE EPITAXIALE SIMULEE 18, II EN CHAUFFANT LE CORPS SEMI-CONDUCTEUR 10 A UNE TEMPERATURE SUPERIEURE A CELLE OU IL SE PRODUIT UNE DIFFUSION NOTABLE DES IMPURETES IMPLANTEES ET III EN METTANT FIN A L'APPLICATION DE LA CHALEUR AU CORPS SEMI-CONDUCTEUR 10 UNE FOIS QUE LES IMPURETES IMPLANTEES ONT DIFFUSE, SOUS LA SURFACE DU CORPS SEMI-CONDUCTEUR, A UNE DISTANCE APPROXIMATIVEMENT EGALE A L'EPAISSEUR DESIREE DE LA COUCHE EPITAXIALE SIMULEE 18; B.A DOPER DES ZONES DETERMINEES 22, 24; C.A FORMER UNE COUCHE ISOLANTE 26; ET D.A FORMER DES ZONES METALLISEES 28, 30, 32.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE MATIERES SEMI-CONDUCTRICES.</P>
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