| 发明名称 |
ELEMENT DE COMMUTATION A TRANSISTOR A BARRIERE DE SCHOTTKY POUR CIRCUIT LOGIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN ELEMENT DE COMMUTATION A TRANSISTOR DE SCHOTTKY ET SON PROCEDE DE FABRICATION.</P><P>UN TRANSISTOR T PNM A BARRIERE DE SCHOTTKY EST FUSIONNE VERTICALEMENT AVEC UN TRANSISTOR DE CHARGE NPN T DE MANIERE QUE LA BASE DU TRANSISTOR PNM SOIT EGALEMENT LE COLLECTEUR DU TRANSISTOR NPN ET QUE L'EMETTEUR DU TRANSISTOR PNM SOIT EGALEMENT LA BASE DU TRANSISTOR NPN. CHAQUE JONCTION DE L'ELEMENT DE COMMUTATION EST SITUEE ENTIEREMENT DANS UNE MEME REGION SUPERFICIELLE ISOLEE ELECTRIQUEMENT D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA REALISATION DE PORTES LOGIQUES A GRANDE VITESSE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2463544(A1) |
申请公布日期 |
1981.02.20 |
| 申请号 |
FR19800017835 |
申请日期 |
1980.08.13 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC |
发明人 |
FRANK W. HEWLETT JR. |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/8222;H01L27/02;H01L27/07;H01L27/082;H01L29/417;H01L29/73;H03K19/084;(IPC1-7):H03K17/60 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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