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Un dispositif de memoire a semi-conducteurs remanente qui possede une region de source (2), une region de drainage (3), une pellicule d'isolation de porte (4), une porte flottante (5) et une porte de commande (7) couplee sensiblement a la porte flottante (5) sur un substrat semi-conducteur (1). C1 represente la capacite entre le substrat (1) et la porte de flottaison (5), C2 represente la capacite entre la porte flottante (5) et la porte de commande (7), Cs represente la capacite entre la region de source (3) et la porte flottante (5), d1 represente l'epaisseur d'au moins une portion de la pellicule (4), Es represente la tension de depart de cassure d'avalanche entre la region de drainage (3) et de substrat (1), et Vs represente la tension appliquee a la region de drainage. Lorsqu'un champ electrique Es d'implantation d'une porteuse chaude dans la porte flottante (5) est egale a ou superieure a la tension Es, le parametre de structure du dispositif de memoire est selectionne de maniere a satisfaire la formule suivante: (FORMULE) lorsque le parametre est ainsi selectionne, le dispositif de memoire peut executer l'ecriture et la reecriture des donnees par alimentation de puissance a une seule electrode. Il est egalement possible d'effectuer une grande reduction des tensions d'ecriture et de reecriture. |
