发明名称 MEMORY FUNCTION TESTING METHOD FOR MOS MEMORY ELEMENTS
摘要 PURPOSE:To perform effective check for operation margins. For this purpose, both the substrate bias voltage and the supply voltage are fed at the moment the test is started and removed at the end of the test.
申请公布号 JPS51142927(A) 申请公布日期 1976.12.08
申请号 JP19750067824 申请日期 1975.06.04
申请人 NIPPON ELECTRIC CO 发明人 ABE AKIO;UEKI ISAO
分类号 G11C11/413;G11C11/4074;G11C29/00;G11C29/56 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
主权项
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