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<P>METHODE DE FABRICATION DE TRANSISTORS VMOS CONSTITUES D'UN SUBSTRAT FORTEMENT DOPE FORMANT DRAIN, PAR EXEMPLE DE TYPE N(1) POUR UN TRANSISTOR VERTICAL A CANAL N, D'UNE COUCHE EPITAXIALE N(2) DANS LAQUELLE SONT DIFFUSEES DEUX REGIONS COMPLEMENTAIRES N(6) ET P(5) FORMANT AVEC LA COUCHE 2 UNE STRUCTURE NPN VERTICALE QUI EST TRAVERSEE PAR UNE GORGE EN V PORTANT LA GRILLE METALLIQUE ET SA COUCHE D'ISOLEMENT ET DONT LES REGIONS DIFFUSEES 6, 5 SONT RELIEES PAR LE CONTACT DE SOURCE.</P><P>SELON L'INVENTION LES REGIONS COMPLEMENTAIRES SONT FORMEES SIMULTANEMENT PAR UN MELANGE DE DOPANTS N ET P DONT L'UN A UNE PLUS GRANDE CONSTANTE DE DIFFUSION (P DANS LE CAS DU TRANSISTOR VERTICAL A CANAL N). UNE DEUXIEME GORGE 7 N'ATTEIGNANT PAS LA COUCHE EPITAXIALE EST FAITE EN MEME TEMPS QUE LA GORGE DE GRILLE 8 PAR ATTAQUE A TRAVERS DEUX FENETRES DE LARGEUR DIFFERENTE AU MOYEN D'UNE SOLUTION ANISOTROPE, LE SILICIUM AYANT L'ORIENTATION 100. LE CONTACT DE SOURCE 10 EST PRIS A TRAVERS UNE FENETRE OUVERTE DANS LA MINCE COUCHE D'OXYDE QUI RECOUVRE LES GORGES 7 ET 8 APRES LA PHASE DE DEPOT DE L'OXYDE DE GRILLE.</P>
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