发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE JONCTION P-N A TENSION DE RUPTURE ELEVEE
摘要 <P>DES IONS D'UNE PREMIERE IMPURETE (ARSENIC) D'UN TYPE DETERMINANT UNE CONDUCTIVITE DONNEE ET POSSEDANT UN COEFFICIENT DE DIFFUSION RELATIVEMENT FAIBLE SONT REPARTIS DANS LE SUBSTRAT POUR Y FORMER UNE COUCHE D'UNE PREMIERE IMPURETE PAR IMPLANTATION SOUS UNE ENERGIE D'ACCELERATION DONNEE, SUIVIE D'UN CHAUFFAGE EN VUE DE LA DIFFUSION PARTIELLE DES IONS IMPLANTES. DES IONS D'UNE SECONDE IMPURETE (PHOSPHORE DESIGNE PAR PH) DU TYPE DETERMINANT LA MEME CONDUCTIVITE ET POSSEDANT UN COEFFICIENT DE DIFFUSION RELATIVEMENT FAIBLE SONT REPARTIS DANS LE SUBSTRAT PAR UNE SECONDE IMPLANTATION D'IONS DE MANIERE A FORMER UNE COUCHE D'UNE DEUXIEME IMPURETE SITUEE PLUS PROFONDEMENT DANS LE SUBSTRAT QUE LA PREMIERE COUCHE. LA PREMIERE COUCHE POSSEDE UNE CONCENTRATION EN IMPURETE SENSIBLEMENT PLUS ELEVEE QUE LA SECONDE. LES PREMIERE ET DEUXIEME IMPURETES SONT DIFFUSEES PAR CHAUFFAGE DU SUBSTRAT DE MANIERE A AMENER LES COUCHES A SE FONDRE OU COMBINER EN UNE SEULE COUCHE D'IMPURETE CONSTITUEE A LA FOIS DES PREMIERE ET DEUXIEME IMPURETES. LA COUCHE D'IMPURETE RESULTANTE EST SENSIBLEMENT INERTE VIS-A-VIS DES PHASES ULTERIEURES DE FABRICATION THERMIQUES ET POSSEDE UN PROFIL DE DISTRIBUTION RELATIVEMENT PROGRESSIF TEL QUE LA JONCTION P-N FORMEE POSSEDE UNE TENSION DE RUPTURE RELATIVEMENT ELEVEE.</P>
申请公布号 FR2462780(A1) 申请公布日期 1981.02.13
申请号 FR19800016605 申请日期 1980.07.28
申请人 GENERAL INSTRUMENT CORP 发明人 JAGIR S. MULTANI ET JAGTAR SANDHU;SANDHU JAGTAR
分类号 H01L21/22;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/36;H01L29/74;(IPC1-7):H01L21/22;H01L21/26 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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