Low-ohmic conductor for a semiconductor device and process for its manufacture.

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine niederohmige Leitung mit einem an der Grenzfläche eines dotierten Halbleiterkörpers vorgesehenen, zu diesem entgegengesetzt dotierten, streifenförmigen Gebiet. Bei solchen Leitungen wird eine wesentliche Verringerung des ohmschen Widerstandes angestrebt. Nach der Erfindung wird dies durch einen auf dem Halbleiterkörper isoliert angeordneten Streifen aus hochdotiertem, polykristallinem Silizium erreicht, der das streifenförmige Gebiet innerhalb eines Kontaktloches kontaktiert. Der Anwendungsbereich der Erfindung umfaßt insbesondere Bitleitungen für Halbleiterspeicher.